Numero di Prodotto del Fabbricante:
TPH2R003PL,LQ
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TPH2R003PL,LQ-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 830mW (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventario:
12038 Pz Nuovo Originale Disponibile
12920887
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TPH2R003PL,LQ Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.1V @ 500µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6410 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
830mW (Ta), 116W (Tc)
Temperatura
175°C
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
TPH2R003
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
264-TPH2R003PLLQCT
264-TPH2R003PLLQTR
TPH2R003PL,LQ(S
264-TPH2R003PLLQDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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