Numero di Prodotto del Fabbricante:
TK6Q60W,S1VQ
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TK6Q60W,S1VQ-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 6.2A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventario:
36 Pz Nuovo Originale Disponibile
12890251
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TK6Q60W,S1VQ Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tube
Serie
DTMOSIV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
820mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.7V @ 310µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
390 pF @ 300 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
60W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numero di prodotto di base
TK6Q60
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
TK6Q60W,S1VQ(S
TK6Q60WS1VQ
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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