Numero di Prodotto del Fabbricante:
TK46E08N1,S1X
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TK46E08N1,S1X-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 80A TO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
23 Pz Nuovo Originale Disponibile
12890796
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
TK46E08N1,S1X Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 500µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2500 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
103W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
TK46E08
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
TK46E08N1S1X
TK46E08N1,S1X(S
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STP100N10F7
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
88
NUMERO DI PEZZO
STP100N10F7-DG
PREZZO UNITARIO
1.11
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
TPH4R003NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
SSM3J15FU,LF
MOSFET P-CH 30V 100MA USM
TK12Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
