Numero di Prodotto del Fabbricante:
TK35N65W,S1F
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TK35N65W,S1F-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 35A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
15 Pz Nuovo Originale Disponibile
12890304
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
TK35N65W,S1F Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tube
Serie
DTMOSIV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
35A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 2.1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4100 pF @ 300 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
270W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
TK35N65
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
TK35N65W,S1F(S
TK35N65W,S1F-DG
TK35N65WS1F
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXFX80N60P3
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
3
NUMERO DI PEZZO
IXFX80N60P3-DG
PREZZO UNITARIO
11.27
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IXFX64N60P3
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
1060
NUMERO DI PEZZO
IXFX64N60P3-DG
PREZZO UNITARIO
8.28
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
TPWR8503NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
TPC6011(TE85L,F,M)
MOSFET N-CH 30V 6A VS-6
2SJ377(TE16R1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD