Numero di Prodotto del Fabbricante:
TK14N65W,S1F
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TK14N65W,S1F-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
12891590
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TK14N65W,S1F Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tube
Serie
DTMOSIV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 690µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
130W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
TK14N65
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
TK14N65WS1F
TK14N65W,S1F(S
TK14N65W,S1F-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXTH30N60P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
648
NUMERO DI PEZZO
IXTH30N60P-DG
PREZZO UNITARIO
5.55
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STW18N60M2
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
476
NUMERO DI PEZZO
STW18N60M2-DG
PREZZO UNITARIO
1.26
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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