Numero di Prodotto del Fabbricante:
TK14E65W,S1X
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TK14E65W,S1X-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
50 Pz Nuovo Originale Disponibile
12891040
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TK14E65W,S1X Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tube
Serie
DTMOSIV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 690µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
130W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
TK14E65
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
TK14E65WS1X
TK14E65W,S1X(S
TK14E65W,S1X-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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