Numero di Prodotto del Fabbricante:
TK12E80W,S1X
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TK12E80W,S1X-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 11.5A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12949829
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TK12E80W,S1X Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tube
Serie
DTMOSIV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 570µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1400 pF @ 300 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
165W (Tc)
Temperatura
150°C
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
TK12E80
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
TK12E80WS1X
TK12E80W,S1X(S
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STP13N80K5
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
312
NUMERO DI PEZZO
STP13N80K5-DG
PREZZO UNITARIO
1.60
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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