Numero di Prodotto del Fabbricante:
SSM6N35AFE,LF
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
SSM6N35AFE,LF-DG
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 20V 250mA (Ta) 250mW Surface Mount ES6
Inventario:
87942 Pz Nuovo Originale Disponibile
12889399
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SSM6N35AFE,LF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual)
Funzione FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Tensione da drain a source (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 100µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
0.34nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
36pF @ 10V
Potenza - Max
250mW
Temperatura
150°C
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
ES6
Numero di prodotto di base
SSM6N35
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
SSM6N35AFE,LF(B
SSM6N35AFELF(B
SSM6N35AFELF
SSM6N35AFELF-DG
SSM6N35AFELFTR
SSM6N35AFELFCT
SSM6N35AFE,LF(T
SSM6N35AFELFDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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