Numero di Prodotto del Fabbricante:
SSM6K361NU,LF
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
SSM6K361NU,LF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 3.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Inventario:
40516 Pz Nuovo Originale Disponibile
12889812
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
SSM6K361NU,LF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 100µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
430 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.25W (Ta)
Temperatura
150°C
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
6-UDFNB (2x2)
Pacchetto / Custodia
6-WDFN Exposed Pad
Numero di prodotto di base
SSM6K361
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SSM6K361NULFDKR
SSM6K361NULF(B
SSM6K361NU,LF(B
SSM6K361NULFTR
SSM6K361NULF
SSM6K361NULFCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
TK6P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
TK20P04M1,RQ(S
MOSFET N-CH 40V 20A DPAK
SSM6K514NU,LF
MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
