SSM5G10TU(TE85L,F)
Numero di Prodotto del Fabbricante:

SSM5G10TU(TE85L,F)

Product Overview

Produttore:

Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di Parte:

SSM5G10TU(TE85L,F)-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV

Inventario:

40 Pz Nuovo Originale Disponibile
12889139
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SSM5G10TU(TE85L,F) Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Cut Tape (CT)
Serie
U-MOSIII
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
213mOhm @ 1A, 4V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 4 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
250 pF @ 10 V
Funzione FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)
500mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
UFV
Pacchetto / Custodia
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Numero di prodotto di base
SSM5G10

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SSM5G10TU(TE85LF)CT
SSM5G10TU(TE85LF)DKR
SSM5G10TUTE85LF
SSM5G10TU(TE85LF)TR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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