Numero di Prodotto del Fabbricante:
RN4611(TE85L,F)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
RN4611(TE85L,F)-DG
Descrizione:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventario:
12889558
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RN4611(TE85L,F) Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
-
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
200MHz
Potenza - Max
300mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitore
SM6
Numero di prodotto di base
RN4611
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
RN4611(TE85LF)TR
RN4611(TE85LF)CT
RN4611(TE85LF)DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
PUMD4,115
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
5000
NUMERO DI PEZZO
PUMD4,115-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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