Numero di Prodotto del Fabbricante:
RN2911(T5L,F,T)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
RN2911(T5L,F,T)-DG
Descrizione:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Inventario:
12889206
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RN2911(T5L,F,T) Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
-
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
200MHz
Potenza - Max
200mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore
US6
Numero di prodotto di base
RN2911
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
RN2911(T5LFT)DKR
RN2911(T5LFT)CT
RN2911(T5LFT)TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
PUMB4,115
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
PUMB4,115-DG
PREZZO UNITARIO
0.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
MUN5115DW1T1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
30
NUMERO DI PEZZO
MUN5115DW1T1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
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onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
1150
NUMERO DI PEZZO
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PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
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QUANTITÀ DISPONIBILE
4294
NUMERO DI PEZZO
DDA114TU-7-F-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
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NUMERO DI PARTE
UMB4NTN
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QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
UMB4NTN-DG
PREZZO UNITARIO
0.05
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