Numero di Prodotto del Fabbricante:
RN2711(TE85L,F)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
RN2711(TE85L,F)-DG
Descrizione:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount 5-SSOP
Inventario:
12889167
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
RN2711(TE85L,F) Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
-
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
400 @ 1mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
200MHz
Potenza - Max
200mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Pacchetto dispositivo fornitore
5-SSOP
Numero di prodotto di base
RN2711
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
RN2711TE85LF
RN2711(TE85LF)DKR
RN2711(TE85LF)CT
RN2711(TE85LF)TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
RN4984,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1701,LF
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
RN2961(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
