Numero di Prodotto del Fabbricante:
RN2605(TE85L,F)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
RN2605(TE85L,F)-DG
Descrizione:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventario:
12 Pz Nuovo Originale Disponibile
12890610
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RN2605(TE85L,F) Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
2.2kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
200MHz
Potenza - Max
300mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitore
SM6
Numero di prodotto di base
RN2605
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
RN2605(TE85LF)TR
RN2605(TE85LF)CT
RN2605(TE85LF)DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IMB10AT110
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
5988
NUMERO DI PEZZO
IMB10AT110-DG
PREZZO UNITARIO
0.08
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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