RN2119MFV,L3F
Numero di Prodotto del Fabbricante:

RN2119MFV,L3F

Product Overview

Produttore:

Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di Parte:

RN2119MFV,L3F-DG

Descrizione:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

Inventario:

7377 Pz Nuovo Originale Disponibile
13275858
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RN2119MFV,L3F Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
1 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Potenza - Max
150 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore
VESM
Numero di prodotto di base
RN2119

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
264-RN2119MFVL3FCT
264-RN2119MFVL3FTR
RN2119MFV,L3F(B
264-RN2119MFVL3FDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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