RN2113ACT(TPL3)
Numero di Prodotto del Fabbricante:

RN2113ACT(TPL3)

Product Overview

Produttore:

Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di Parte:

RN2113ACT(TPL3)-DG

Descrizione:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3

Inventario:

10000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12889437
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RN2113ACT(TPL3) Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
80 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
47 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
150mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Potenza - Max
100 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-101, SOT-883
Pacchetto dispositivo fornitore
CST3
Numero di prodotto di base
RN2113

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
10,000
Altri nomi
RN2113ACT(TPL3)CT
RN2113ACT(TPL3)TR
RN2113ACT(TPL3)DKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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