Numero di Prodotto del Fabbricante:
RN2109ACT(TPL3)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
RN2109ACT(TPL3)-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Inventario:
9900 Pz Nuovo Originale Disponibile
12889310
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RN2109ACT(TPL3) Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Cut Tape (CT)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
80 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
47 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
22 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
150mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Potenza - Max
100 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-101, SOT-883
Pacchetto dispositivo fornitore
CST3
Numero di prodotto di base
RN2109
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
10,000
Altri nomi
RN2109ACT(TPL3)TR
RN2109ACT(TPL3)CT
RN2109ACT(TPL3)DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
MUN5137T1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
MUN5137T1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.01
TIPO DI SOSTITUZIONE
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