RN2103ACT(TPL3)
Numero di Prodotto del Fabbricante:

RN2103ACT(TPL3)

Product Overview

Produttore:

Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di Parte:

RN2103ACT(TPL3)-DG

Descrizione:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3

Inventario:

10000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12891284
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

RN2103ACT(TPL3) Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
80 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
22 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
22 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
150mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Potenza - Max
100 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-101, SOT-883
Pacchetto dispositivo fornitore
CST3
Numero di prodotto di base
RN2103

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
10,000
Altri nomi
RN2103ACT(TPL3)TR
RN2103ACT(TPL3)CT
RN2103ACT(TPL3)DKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Prodotti correlati
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2111MFV,L3F

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2110ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1425TE85LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1427TE85LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI