Numero di Prodotto del Fabbricante:
RN2101ACT(TPL3)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
RN2101ACT(TPL3)-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Inventario:
12889576
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RN2101ACT(TPL3) Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
80 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
4.7 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
30 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Potenza - Max
100 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-101, SOT-883
Pacchetto dispositivo fornitore
CST3
Numero di prodotto di base
RN2101
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
10,000
Altri nomi
RN2101ACT(TPL3)CT
RN2101ACT(TPL3)TR
RN2101ACT(TPL3)DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
PDTA143TM,315
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
PDTA143TM,315-DG
PREZZO UNITARIO
0.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
PDTA143TMB,315
FABBRICANTE
NXP USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
129900
NUMERO DI PEZZO
PDTA143TMB,315-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
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