Numero di Prodotto del Fabbricante:
RN1967FE(TE85L,F)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
RN1967FE(TE85L,F)-DG
Descrizione:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventario:
12890202
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
RN1967FE(TE85L,F) Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
100mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
ES6
Numero di prodotto di base
RN1967
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
RN1967FE(TE85LF)DKR
RN1967FE(TE85LF)CT
RN1967FE(TE85LF)TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NSVBC114YDXV6T1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
7900
NUMERO DI PEZZO
NSVBC114YDXV6T1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.05
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
DCX124EK-7-F
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R
RN1966FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1705,LF
NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
