RN1910FE(T5L,F,T)
Numero di Prodotto del Fabbricante:

RN1910FE(T5L,F,T)

Product Overview

Produttore:

Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di Parte:

RN1910FE(T5L,F,T)-DG

Descrizione:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6

Inventario:

RFQ Online
12889612
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RN1910FE(T5L,F,T) Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
4.7kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
-
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
100mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
ES6
Numero di prodotto di base
RN1910

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
RN1910,11FE Datasheet

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
RN1910FE(T5LFT)CT
RN1910FE(T5LFT)TR
RN1910FE(T5LFT)DKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
NSBC143TDXV6T1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
NSBC143TDXV6T1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.05
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
PUMH7,115
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
12777
NUMERO DI PEZZO
PUMH7,115-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
certification_01
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certification_03
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cr
certification_015
certification_08
esd
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