Numero di Prodotto del Fabbricante:
RN1508(TE85L,F)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
RN1508(TE85L,F)-DG
Descrizione:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
Inventario:
2486 Pz Nuovo Originale Disponibile
12891666
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RN1508(TE85L,F) Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
22kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
300mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-74A, SOT-753
Pacchetto dispositivo fornitore
SMV
Numero di prodotto di base
RN1508
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
RN1508(TE85LF)TR
RN1508(TE85LF)DKR
RN1508(TE85LF)CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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