Numero di Prodotto del Fabbricante:
RN1423TE85LF
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
RN1423TE85LF-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 800 mA 300 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Inventario:
5822 Pz Nuovo Originale Disponibile
12891341
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RN1423TE85LF Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
800 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
4.7 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
70 @ 100mA, 1V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 1mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
300 MHz
Potenza - Max
200 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore
S-Mini
Numero di prodotto di base
RN1423
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
264-RN1423TE85LFDKR
RN1423(TE85L,F)
264-RN1423TE85LFTR
264-RN1423TE85LFCT
RN1423TE85LF-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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