Numero di Prodotto del Fabbricante:
RN1113(T5L,F,T)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
RN1113(T5L,F,T)-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventario:
3000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12889682
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RN1113(T5L,F,T) Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
47 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250 MHz
Potenza - Max
100 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-75, SOT-416
Pacchetto dispositivo fornitore
SSM
Numero di prodotto di base
RN1113
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
RN1113(T5LFT)TR
RN1113(T5LFT)CT
RN1113(T5LFT)DKR
RN1113T5LFT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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