Numero di Prodotto del Fabbricante:
RN1103MFV,L3F
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
RN1103MFV,L3F-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventario:
254 Pz Nuovo Originale Disponibile
12889861
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RN1103MFV,L3F Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Cut Tape (CT)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
22 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
22 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Potenza - Max
150 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore
VESM
Numero di prodotto di base
RN1103
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
RN1103MFV,L3F(T
RN1103MFV,L3F(B
RN1103MFVL3FTR
RN1103MFVL3FDKR
RN1103MFVL3FCT
RN1103MFVL3F
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NSBC124EF3T5G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
4316
NUMERO DI PEZZO
NSBC124EF3T5G-DG
PREZZO UNITARIO
0.07
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
DTC124EM3T5G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
7315
NUMERO DI PEZZO
DTC124EM3T5G-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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