Numero di Prodotto del Fabbricante:
HN1B01FU-Y,LXHF
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
HN1B01FU-Y,LXHF-DG
Descrizione:
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor Array 50V 150mA 120MHz, 150MHz 200mW Surface Mount US6
Inventario:
5878 Pz Nuovo Originale Disponibile
12966894
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HN1B01FU-Y,LXHF Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
150mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
120 @ 2mA, 6V
Potenza - Max
200mW
Frequenza - Transizione
120MHz, 150MHz
Temperatura
-
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore
US6
Numero di prodotto di base
HN1B01
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
264-HN1B01FU-YLXHFDKR
264-HN1B01FU-Y,LXHFCT
264-HN1B01FU-Y,LXHFTR
264-HN1B01FU-YLXHFCT
264-HN1B01FU-Y,LXHFCT-DG
264-HN1B01FU-YLXHFTR
264-HN1B01FU-Y,LXHFTR-DG
264-HN1B01FU-Y,LXHFDKR-DG
264-HN1B01FU-Y,LXHFDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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