Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SJ610(TE16L1,NQ)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
2SJ610(TE16L1,NQ)-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 250 V 2A (Ta) 20W (Ta) Surface Mount PW-MOLD
Inventario:
12890656
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
MPfP
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
2SJ610(TE16L1,NQ) Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.55Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
381 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
20W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PW-MOLD
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
2SJ610
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
TK10Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
TK8Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 8A IPAK
