Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SD2257(Q,M)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
2SD2257(Q,M)-DG
Descrizione:
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventario:
12891512
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2SD2257(Q,M) Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
3 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
100 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Corrente - Taglio collettore (max)
10µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
2000 @ 2A, 2V
Potenza - Max
2 W
Frequenza - Transizione
-
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220NIS
Numero di prodotto di base
2SD2257
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1
Altri nomi
2SD2257QM
2SD2257(QM)
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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