Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SD2206(TE6,F,M)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
2SD2206(TE6,F,M)-DG
Descrizione:
TRANS NPN 100V 2A TO92MOD
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 100MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
Inventario:
12891282
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2SD2206(TE6,F,M) Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
2 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
100 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1.5V @ 1mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (max)
10µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
2000 @ 1A, 2V
Potenza - Max
900 mW
Frequenza - Transizione
100MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92MOD
Numero di prodotto di base
2SD2206
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1
Altri nomi
2SD2206TE6FM
2SD2206(TE6FM)
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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