Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SD1221-Y(Q)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
2SD1221-Y(Q)-DG
Descrizione:
TRANS NPN 60V 3A PW-MOLD
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 1 W Surface Mount PW-MOLD
Inventario:
12949766
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2SD1221-Y(Q) Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
3 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
60 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1V @ 300mA, 3A
Corrente - Taglio collettore (max)
100µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 500mA, 5V
Potenza - Max
1 W
Frequenza - Transizione
3MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore
PW-MOLD
Numero di prodotto di base
2SD1221
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
200
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
2SD1802T-TL-E
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
1187
NUMERO DI PEZZO
2SD1802T-TL-E-DG
PREZZO UNITARIO
0.38
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
2SC6097-TL-E
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
5749
NUMERO DI PEZZO
2SC6097-TL-E-DG
PREZZO UNITARIO
0.25
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
2SC6076(TE16L1,NV)
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
2SC6076(TE16L1,NV)-DG
PREZZO UNITARIO
0.16
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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