Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SC6042,T2HOSH1Q(J
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
2SC6042,T2HOSH1Q(J-DG
Descrizione:
TRANS NPN 375V 1A MSTM
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 375 V 1 A 1 W Through Hole MSTM
Inventario:
12891837
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2SC6042,T2HOSH1Q(J Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
1 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
375 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1V @ 100mA, 800mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 100mA, 5V
Potenza - Max
1 W
Frequenza - Transizione
-
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
SC-71
Pacchetto dispositivo fornitore
MSTM
Numero di prodotto di base
2SC6042
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1
Altri nomi
2SC6042T2HOSH1Q(J
2SC6042T2HOSH1QJ
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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