Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SC4793(F,M)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
2SC4793(F,M)-DG
Descrizione:
TRANS NPN 230V 1A TO220NIS
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 1 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventario:
12890001
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2SC4793(F,M) Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
1 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
230 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 100mA, 5V
Potenza - Max
2 W
Frequenza - Transizione
100MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220NIS
Numero di prodotto di base
2SC4793
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Altri nomi
2SC4793(F,M)-DG
2SC4793(Q)
2SC4793-NDR
2SC4793F,M-DG
2SC4793FM
2SC4793Q
2SC4793Q-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificazione DIGI
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