2SC3669-Y,T2PASF(M
Numero di Prodotto del Fabbricante:

2SC3669-Y,T2PASF(M

Product Overview

Produttore:

Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di Parte:

2SC3669-Y,T2PASF(M-DG

Descrizione:

TRANS NPN 80V 2A MSTM
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 2 A 100MHz 1 W Through Hole MSTM

Inventario:

12891725
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2SC3669-Y,T2PASF(M Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
2 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
80 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
500mV @ 50mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
70 @ 500mA, 2V
Potenza - Max
1 W
Frequenza - Transizione
100MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
SC-71
Pacchetto dispositivo fornitore
MSTM
Numero di prodotto di base
2SC3669

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1
Altri nomi
2SC3669-YT2PASF(M
2SC3669YT2PASFM

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificazione DIGI
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