Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SC3326-B,LF
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
2SC3326-B,LF-DG
Descrizione:
TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 300 mA 30MHz 150 mW Surface Mount TO-236
Inventario:
199780 Pz Nuovo Originale Disponibile
12889574
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2SC3326-B,LF Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
300 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
20 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
100mV @ 3mA, 30mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
350 @ 4mA, 2V
Potenza - Max
150 mW
Frequenza - Transizione
30MHz
Temperatura
125°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-236
Numero di prodotto di base
2SC3326
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
2SC3326BTE85LFTR
2SC3326-B,LF(B
2SC3326-B(TE85L,F)
2SC3326BTE85LFTR-DG
2SC3326-BLFCT
2SC3326BTE85LFCT-DG
2SC3326BTE85LFCT
2SC3326-B (TE85L,F)
2SC3326BTE85LF
2SC3326-B,LF(T
2SC3326-BLFDKR
2SC3326BTE85LFDKR
2SC3326-BLFTR
2SC3326BTE85LFDKR-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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