2SA1955FVBTPL3Z
Numero di Prodotto del Fabbricante:

2SA1955FVBTPL3Z

Product Overview

Produttore:

Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di Parte:

2SA1955FVBTPL3Z-DG

Descrizione:

TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 400 mA 130MHz 100 mW Surface Mount VESM

Inventario:

2695 Pz Nuovo Originale Disponibile
12889632
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2SA1955FVBTPL3Z Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
400 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
12 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 10mA, 200mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
300 @ 10mA, 2V
Potenza - Max
100 mW
Frequenza - Transizione
130MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore
VESM
Numero di prodotto di base
2SA1955

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
2SA1955FV-B(TPL3,Z
2SA1955FVBTPL3ZDKR
2SA1955FVBTPL3ZCT
2SA1955FVBTPL3ZTR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
2SA2030T2L
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
2SA2030T2L-DG
PREZZO UNITARIO
0.10
TIPO DI SOSTITUZIONE
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