Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SA1930(ONK,Q,M)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
2SA1930(ONK,Q,M)-DG
Descrizione:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventario:
12891081
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2SA1930(ONK,Q,M) Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
2 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
180 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1V @ 100mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (max)
5µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 100mA, 5V
Potenza - Max
2 W
Frequenza - Transizione
200MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220NIS
Numero di prodotto di base
2SA1930
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1
Altri nomi
2SA1930(ONKQM)
2SA1930ONKQM
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TTA004B,Q
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
TTA004B,Q-DG
PREZZO UNITARIO
0.12
TIPO DI SOSTITUZIONE
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