Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SA1869-Y(JKT,Q,M)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
2SA1869-Y(JKT,Q,M)-DG
Descrizione:
TRANS PNP 50V 3A TO220NIS
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 3 A 100MHz 10 W Through Hole TO-220NIS
Inventario:
12890049
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2SA1869-Y(JKT,Q,M) Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
3 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
600mV @ 200mA, 2A
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
70 @ 500mA, 2V
Potenza - Max
10 W
Frequenza - Transizione
100MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220NIS
Numero di prodotto di base
2SA1869
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1
Altri nomi
2SA1869YJKTQM
2SA1869-Y(JKTQM)
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificazione DIGI
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