Numero di Prodotto del Fabbricante:
TPS1101D
Product Overview
Produttore:
Texas Instruments
Numero di Parte:
TPS1101D-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 15 V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
103 Pz Nuovo Originale Disponibile
12823050
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TPS1101D Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Texas Instruments
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
15 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11.25 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
+2V, -15V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
791mW (Ta)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numero di prodotto di base
TPS1101
Scheda dati e documenti
Pagina del prodotto del produttore
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
-TPS1101D-NDR
-TPS1101DG4-NDR
296-3381-5
-296-3381-5-DG
296-3381-5-NDR
TEXTISTPS1101D
TPS1101DG4-DG
-296-3381-5
-TPS1101DG4
TPS1101DG4
2156-TPS1101D
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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