CSD87335Q3D

Numero di Prodotto del Fabbricante:

CSD87335Q3D

Product Overview

Produttore:

Texas Instruments

Numero di Parte:

CSD87335Q3D-DG

Descrizione:

MOSFET 2N-CH 30V 8LSON

Descrizione Dettagliata:

Mosfet Array 30V 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)

Inventario:

4919 Pz Nuovo Originale Disponibile

12815900

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CSD87335Q3D Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET

Produttore

Texas Instruments

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

NexFET™

Stato del prodotto

Active

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Configurazione

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

-

Tensione da drain a source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

vgs(th) (massimo) @ id

1.9V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

1050pF @ 15V

Potenza - Max

6W

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerLDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-LSON (3.3x3.3)

Numero di prodotto di base

CSD87335Q3

Scheda dati e documenti

Pagina del prodotto del produttore

CSD87335Q3D Specifications

Schede tecniche

CSD87335Q3D Datasheet

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,500

Altri nomi

296-43949-1

296-43949-2

CSD87335Q3D-DG

2156-CSD87335Q3D

296-43949-6

TEXTISCSD87335Q3D

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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