Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Repubblica Democratica del Congo
Argentina
Turchia
Romania
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacchia
Italia
Finlandia
Belarus
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Montenegro
Russo
Belgio
Svezia
Serbia
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Moldavia
Germania
Paesi Bassi
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Francia
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Portogallo
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spagna
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
CSD87330Q3D
Product Overview
Produttore:
Texas Instruments
Numero di Parte:
CSD87330Q3D-DG
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 30V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
Inventario:
28824 Pz Nuovo Originale Disponibile
12789231
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
CSD87330Q3D Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
Texas Instruments
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (massimo) @ id
2.1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
5.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
900pF @ 15V
Potenza - Max
6W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-PowerLDFN
Pacchetto dispositivo fornitore
8-LSON (3.3x3.3)
Numero di prodotto di base
CSD87330
Scheda dati e documenti
Pagina del prodotto del produttore
CSD87330Q3D Specifications
Schede tecniche
CSD87330Q3D
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
-CSD87330Q3D-NDR
-296-29660-1
296-29660-6
296-29660-2
296-29660-1
-296-29660-1-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
CTLDM303N-M832DS TR
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
CSD86336Q3DT
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
CMLDM7003G TR
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
CTLDM304P-M832DS TR
MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS