Numero di Prodotto del Fabbricante:
CSD19536KTT
Product Overview
Produttore:
Texas Instruments
Numero di Parte:
CSD19536KTT-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
Inventario:
1973 Pz Nuovo Originale Disponibile
12789241
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CSD19536KTT Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Texas Instruments
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
12000 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (DDPAK-3)
Pacchetto / Custodia
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Numero di prodotto di base
CSD19536
Scheda dati e documenti
Pagina del prodotto del produttore
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Altri nomi
2156-CSD19536KTT
296-47254-2
CSD19536KTT-DG
296-47254-1
296-47254-6
TEXTISCSD19536KTT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
2 (1 Year)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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