Numero di Prodotto del Fabbricante:
CSD19531KCS
Product Overview
Produttore:
Texas Instruments
Numero di Parte:
CSD19531KCS-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
163 Pz Nuovo Originale Disponibile
12794240
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CSD19531KCS Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Texas Instruments
Imballaggio
Tube
Serie
NexFET™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3870 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
CSD19531
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
-CSD19531KCS-NDR
2156-CSD19531KCS
-296-37480-5-DG
296-37480-5
TEXTISCSD19531KCS
296-37480-5-NDR
CSD19531KCS-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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