Numero di Prodotto del Fabbricante:
CSD19506KCS
Product Overview
Produttore:
Texas Instruments
Numero di Parte:
CSD19506KCS-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 100A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
175 Pz Nuovo Originale Disponibile
12788600
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CSD19506KCS Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Texas Instruments
Imballaggio
Tube
Serie
NexFET™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
12200 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
CSD19506
Scheda dati e documenti
Pagina del prodotto del produttore
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
-296-37169-5-DG
296-37169-5
-296-37169-5
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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