Numero di Prodotto del Fabbricante:
CSD18535KTTT
Product Overview
Produttore:
Texas Instruments
Numero di Parte:
CSD18535KTTT-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 200A (Ta), 279A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
Inventario:
1002 Pz Nuovo Originale Disponibile
12795994
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CSD18535KTTT Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Texas Instruments
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
200A (Ta), 279A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6620 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (DDPAK-3)
Pacchetto / Custodia
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Numero di prodotto di base
CSD18535
Scheda dati e documenti
Pagina del prodotto del produttore
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
296-44121-2
296-44121-1
296-44121-6
CSD18535KTTT-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
2 (1 Year)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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