Numero di Prodotto del Fabbricante:
CSD16556Q5B
Product Overview
Produttore:
Texas Instruments
Numero di Parte:
CSD16556Q5B-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 25 V 100A (Tc) 3.2W (Ta), 191W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Inventario:
7319 Pz Nuovo Originale Disponibile
12795637
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CSD16556Q5B Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Texas Instruments
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.07mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
1.7V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6180 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.2W (Ta), 191W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-VSONP (5x6)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
CSD16556
Scheda dati e documenti
Pagina del prodotto del produttore
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
-296-35627-2
CSD16556Q5B-DG
TEXTISCSD16556Q5B
296-35627-1
2156-CSD16556Q5B
296-35627-2
-296-35627-2-DG
296-35627-6
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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