Numero di Prodotto del Fabbricante:
TSM7ND65CI
Product Overview
Produttore:
Taiwan Semiconductor Corporation
Numero di Parte:
TSM7ND65CI-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 7A ITO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventario:
3 Pz Nuovo Originale Disponibile
12900020
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
TSM7ND65CI Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Taiwan Semiconductor
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.8V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1124 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
ITO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numero di prodotto di base
TSM7
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
TSM7ND65CI RLG
TSM7ND65CI-DG
TSM7ND65CI C0G
1801-TSM7ND65CI
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
TSM120N06LCR RLG
MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
TSM70N10CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252
DMN2230UQ-7
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
