TSM7ND65CI
Numero di Prodotto del Fabbricante:

TSM7ND65CI

Product Overview

Produttore:

Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di Parte:

TSM7ND65CI-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 650V 7A ITO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220

Inventario:

3 Pz Nuovo Originale Disponibile
12900020
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TSM7ND65CI Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Taiwan Semiconductor
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.8V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1124 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
ITO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numero di prodotto di base
TSM7

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
TSM7ND65CI RLG
TSM7ND65CI-DG
TSM7ND65CI C0G
1801-TSM7ND65CI

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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