Numero di Prodotto del Fabbricante:
TSM4NB60CI
Product Overview
Produttore:
Taiwan Semiconductor Corporation
Numero di Parte:
TSM4NB60CI-DG
Descrizione:
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventario:
12998613
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TSM4NB60CI Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Taiwan Semiconductor
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
ITO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numero di prodotto di base
TSM4
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
1801-TSM4NB60CI
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFIBC30GPBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
1568
NUMERO DI PEZZO
IRFIBC30GPBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.22
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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