STW50N65DM2AG
Numero di Prodotto del Fabbricante:

STW50N65DM2AG

Product Overview

Produttore:

STMicroelectronics

Numero di Parte:

STW50N65DM2AG-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 650V 28A TO247
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventario:

600 Pz Nuovo Originale Disponibile
12947813
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

STW50N65DM2AG Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tube
Serie
MDmesh™ DM2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
87mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3200 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
STW50

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30
Altri nomi
497-16138-5

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
infineon-technologies

IPW65R029CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3

comchip-technology

ACMSN2312T-HF

MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

siliconix

ND2012L

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

IRF7205TRPBF

IRF7205 - 20V-250V P-CHANNEL POW