Numero di Prodotto del Fabbricante:
STW3N170
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STW3N170-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1700 V 2.6A (Tc) 160mW Through Hole TO-247-3
Inventario:
12945530
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STW3N170 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tube
Serie
PowerMESH™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1700 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
160mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
STW3N170
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
497-16332-5
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXTH2N150L
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
176
NUMERO DI PEZZO
IXTH2N150L-DG
PREZZO UNITARIO
8.26
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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