STW25N60M2-EP
Numero di Prodotto del Fabbricante:

STW25N60M2-EP

Product Overview

Produttore:

STMicroelectronics

Numero di Parte:

STW25N60M2-EP-DG

Descrizione:

MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventario:

600 Pz Nuovo Originale Disponibile
12876069
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

STW25N60M2-EP Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tube
Serie
MDmesh™ M2-EP
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
188mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.75V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1090 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
STW25

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
600
Altri nomi
STW25N60M2-EP-DG
497-STW25N60M2-EP

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
stmicroelectronics

STB5NK52ZD-1

MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK

stmicroelectronics

STFW6N120K3

MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT

stmicroelectronics

STP60NE06L-16

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

stmicroelectronics

STL3NM60N

MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT